劉林生博士簡介

姓名:劉林生

性別:男    

職稱:副教授 

任職情況:

社會兼職:

最后學歷:博士

一、學習、工作經歷:(大學起)

1998-2002 蘭州大學 本科 半導體器件與微電子學專業

2002-2007 蘭州大學 博士 微電子學與固體電子學專業

2007-2008 法國巴黎國家科學研究中心光子學與納米結構實驗室 博士后

2009-2013 北京市科學技術研究院與北京工業大學 博士后

2013-2014希臘國家研究與技術基金會電子結構與激光研究所 博士后

2015-2017 中國科學院半導體研究所 助理研究員

2017-至今 廣西師范大學電子工程學院 

二、研究方向:

半導體材料與器件(如光電探測器,激光器,納米線,SiC功率器件等),液相等離子體納米材料制備與器件,超級電容器 

三、主講課程:

半導體物理與器件,C語言

四、主持/參加科研、教改項目(標注是在研或已完成):

主持北京市留學人員科技活動項目擇優資助(重點類)1項,參與中科院重大JG項目,科技部重點專項,國家自然科學基金面上項目和重點項目各1項。

五、發表的主要論文或授權的專利:

在Nano Letters,Applied Physics Letters,Journal of Crystal Growth,《物理學報》和Optics Communications等刊物發表論文22篇,合作專業著作1章,其中第一作者發表9篇,SCI檢索2篇,EI檢索5篇,被引用近300次.

主要論文:

[1] L.S. Liu, W.X. Wang, Z.H. Li, B.L. Liu, H.M. Zhao, J. Wang,H.C. Gao, Z.W. Jiang, S. Liu, H. Chen, J.M. Zhou.Influence of interface interruption on spin relaxation in GaAs (1 1 0) quantum wells. Journal of Crystal Growth, 2007, 301-302: 93-96. (SCI和EI收錄,影響因子1.950)

[2] 劉林生, 劉肅, 王文新,  趙宏鳴, 劉寶利, 蔣中偉, 高漢超, 王佳, 黃慶安, 陳弘, 周均銘. 關于RHEED振蕩技術優化GaAs(110)量子阱生長的研究. 物理學報, 2007, 56(6): 3355-3359.(SCI和EI收錄,影響因子1.277)

[3] 劉林生, 劉肅, 王文新,  趙宏鳴, 劉寶利, 高漢超, 蔣中偉, 王佳, 黃慶安, 陳弘, 周均銘. GaAs (110)量子阱的電子自旋馳豫. 半導體學報,2007,28(6): 856-859.(EI收錄)

[4] 劉林生, 王文新, 劉肅, 趙宏鳴, 劉寶利, 蔣中偉, 高漢超, 王佳, 黃慶安, 陳弘, 周均銘. 用分子束外延技術在GaAs(110)襯底上生長AlGaAs材料的研究. 半導體學報, 2007, 28(9):1411-1414 .(EI收錄)

[5] 劉林生, 劉肅, 王文新,  趙宏鳴, 劉寶利, 蔣中偉, 高漢超, 王佳, 黃慶安, 陳弘, 周均銘. GaAs(110)量子阱材料生長和光學特性的實驗研究. 光學精密工程,2007,15(5):678-683(EI收錄)

[6] 劉林生, 劉肅, 王文新,  趙宏鳴, 劉寶利, 蔣中偉, 高漢超, 王佳, 陳弘, 周均銘. 半導體自旋電子學的研究與應用進展. 電子器件, 2007, 30(3):1125-1128. (北大中文核心、中國科技核心)

[7] 劉林生,張東,陳建新,IEEE1149.4標準實驗測試結構設計和擴展研究. 電子測試,2012,5:1-6.(中國科技核心)

[8] 劉林生,張東,印制電路板在線故障診斷技術探討. 電子測量與儀器學報,2010,24:158-161.(北大中文核心)

[9] 劉林生,劉肅,黃慶安. MEMS薄膜磁學特性的在線測試結構. 微納電子技術,2005,4:184-187.(北大中文核心)

[10] Harmand Jean-Christophe, Liu Linsheng, Patriarche Gilles, Tchernycheva Maria, Akopian Nikolai, Perinetti Umberto, Zwiller Valery. Potential of semiconductor nanowires for single photon sources. Proceedings of the SPIE, 2009, 7222: 722219 (Invited paper,EI收錄).

[11] Guipeng Liu, Wenjie Chen, Linsheng Liu, et al. A Theory study of the multiplication characteristics of InP/InGaAs avalanche photodiodes with double multiplication layers and double charge layers, Optics Communications, 2016, 374: 114-118.(SCI和EI收錄,影響因子1.449)

[12] Harmand Jean-Christophe,Jabeen, Fauzia, Liu Linsheng,Patriarche Gilles, Gauthron Karine, Senellart Pascale, Elvira David,BeveratosAlexios. InP1-xAsx quantum dots in InP nanowires: A route for single photon emitters. Journal of Crystal Growth, 2013, 378: 519-523.(SCI和EI收錄,影響因子1.950)

[13] N. Akopian, G. Patriarche,L. Liu, J.-C.Harmand and V. Zwiller.Crystal Phase Quantum Dots.Nano Lett., 2010, 10 (4),  1198–1201 (SCI和EI收錄,影響因子13.779,被引用178次).

[14] ZhiHua Li, Wen Xin Wang, Lin Sheng Liu, Han Chao Gao, Zhong Wei Jiang, Jun Ming Zhou, Hong Chen. Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells. Journal of Crystal Growth, 2007, 301-302: 181-184. (SCI和EI收錄,影響因子1.950)

[15] 李志華, 王文新, 劉林生, 蔣中偉, 高漢超, 周均銘. As保護下的生長中斷時間對AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影響. 物理學報,2007,56(3): 1785-1789. (SCI和EI收錄,影響因子1.277)

[16] F. Lloret, D. Araujo, M.P. Villar, L. Liu and K. Zekentes. Si NWs conversion to Si-SiC core-shell NWs by MBE. Materials Science Forum, 2015, 821-823: 965-969.(EI收錄)

[17] Baoli Liu, Hongming Zhao, Jia Wang, Linsheng Liu, Wenxin Wang, Dongmin Chen, Haijun Zhu. Electron density dependence of in-plane spin relaxation anisotropy in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas. Applied Physics Letters, 2007, 90: 112111.(SCI和EI收錄,影響因子3.596,被引用43次)

[18] HanchaoGao, Wenxin Wang, Zhongwei Jiang, Linsheng Liu, Junming Zhou, Hong Chen, The growth parameter influence on the crystal quality of InAsSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2007,  308: 406-411.(SCI和EI收錄,影響因子1.950)

[19] Zhongwei Jiang, Wenxin Wang, HanchaoGao, Linsheng Liu, Hong Chen, Junming Zhou. Strain relaxation and surface morphology of high indium content InAlAs metamorphic buffers with reverse step. Applied Surface Science, 2008, 254: 5241-5246.(SCI和EI收錄,影響因子3.150)

[20] H L Zhou, T B Hoang, D L Dheeraj, A T J van Helvoort, L Liu, J C Harmand, B O Fimland,  H Weman. Wurtzite GaAs/AlGaAs core-shell nanowires grown by molecular beam epitaxy. Nanotechnology, 2009,20:415701.(SCI和EI收錄,影響因子3.672,被引49次,)

六、獲獎情況:



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